IRFH5010TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH5010TR2PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN

Устаревший8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4340 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 150µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 100A (Tc)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителя8-PQFN (5x6)