IRFH4253DTRPBF

Infineon Technologies

IRFH4253DTRPBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN

Снят с производства8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 30A, 10V
Базовый Part NumberIRFH4253
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1314pF @ 13V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA

Электрические

Напряжение сток-исток25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A, 145A
Power - Max31W, 50W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPQFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)