IRF9952PBF

Infineon Technologies

IRF9952PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

Снят с производства8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V
Базовый Part NumberIRF995
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A, 2.3A
Power - Max2W

Механические

КорпусTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)