IRF9520NPBF

Infineon Technologies

IRF9520NPBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB

УстаревшийTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 4A, 10V
Базовый Part NumberIRF9520
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220AB