IRF9389TRPBF

Infineon Technologies

IRF9389TRPBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 6.8A, 10V
Базовый Part NumberIRF9389
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds398pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 10µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A, 4.6A
Power - Max2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)