IRF8513PBF

Infineon Technologies

IRF8513PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs15.5mOhm @ 8A, 10V
Базовый Part NumberIRF8513
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds766pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A, 11A
Power - Max1.5W, 2.4W

Механические

КорпусTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)