IRF7904TRPBF

Infineon Technologies

IRF7904TRPBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO

Снят с производства8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Базовый Part NumberIRF7904
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds910pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.25V @ 25µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A, 11A
Power - Max1.4W, 2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)