IRF7832TR

Infineon Technologies

IRF7832TR

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4310 pF @ 15 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.32V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO