Общие
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 28 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A (Ta) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус производителя | 8-SO |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|