IRF7756

Infineon Technologies

IRF7756

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

Устаревший8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Базовый Part NumberIRF775
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 10V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A
Power - Max1W

Механические

КорпусTube
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус производителя8-TSSOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)