IRF7751

Infineon Technologies

IRF7751

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP

Устаревший8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.5A, 10V
Базовый Part NumberIRF775
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1464pF @ 25V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Power - Max1W

Механические

КорпусTube
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус производителя8-TSSOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)