Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.2A, 4.5V |
|---|---|
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 15 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | FETKY™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус производителя | 8-SO |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|