IRF7351PBF

Infineon Technologies

IRF7351PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

Снят с производства8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.8mOhm @ 8A, 10V
Базовый Part NumberIRF7351PBF
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1330pF @ 30V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 50µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Power - Max2W

Механические

КорпусTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)