IRF7350PBF

Infineon Technologies

IRF7350PBF

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 100V 2.1A/1.5A 8SO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 2.1A, 10V
Базовый Part NumberIRF7350
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds380pF @ 25V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.1A, 1.5A
Power - Max2W

Механические

КорпусTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)