IRF7317TRPBF

Infineon Technologies

IRF7317TRPBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO

Снят с производства8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 6A, 4.5V
Базовый Part NumberIRF731
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A, 5.3A
Power - Max2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)