IRF7316PBF

Infineon Technologies

IRF7316PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO

Снят с производства8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 4.9A, 10V
Базовый Part NumberIRF731
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds710pF @ 25V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A
Power - Max2W

Механические

КорпусTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)