IRF7309PBF

Infineon Technologies

IRF7309PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO

Снят с производства8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 2.4A, 10V
Базовый Part NumberIRF73
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A, 3A
Power - Max1.4W

Механические

КорпусTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)