IRF7106

Infineon Technologies

IRF7106

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 1A, 10V
Базовый Part NumberIRF71
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A, 2.5A
Power - Max2W

Механические

КорпусTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO