IRF6723M2DTR1P

Infineon Technologies

IRF6723M2DTR1P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFETMA

УстаревшийDirectFET™ Isometric MAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 15A, 10V
Базовый Part NumberIRF6723
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1380pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A
Power - Max2.7W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseDirectFET™ Isometric MA
Корпус производителяDIRECTFET™ MA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)