Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 12A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 13 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Напряжение сток-исток | 25 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 39A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.8W (Ta), 21W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | DirectFET™ Isometric S1 |
| Корпус производителя | DirectFET™ Isometric S1 |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|