Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 7.9A, 4.5V |
|---|---|
| Базовый Part Number | IRF615 |
| Конфигурация | 2 P-Channel (Dual) |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.9A |
| Power - Max | 3W |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 16-WFBGA |
| Корпус производителя | 16-FlipFet™ |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|