IRF5850

Infineon Technologies

IRF5850

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP

УстаревшийSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Базовый Part NumberIRF58
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A
Power - Max960mW

Механические

КорпусTube
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя6-TSOP