IRF5802TR

Infineon Technologies

IRF5802TR

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP

УстаревшийSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 540mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds88 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C900mA (Ta)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителяMicro6™(TSOP-6)