IRF3610STRLPBF

Infineon Technologies

IRF3610STRLPBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.6mOhm @ 62A, 10V
Базовый Part NumberIRF3610
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5380 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C103A (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяPG-TO263-3