IRF300P226

Infineon Technologies

IRF300P226

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 45A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10030 pF @ 50 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияStrongIRFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 270µA

Электрические

Напряжение сток-исток300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность556W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247AC

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)