IRF2804LPBF

Infineon Technologies

IRF2804LPBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 75A TO262

Снят с производстваTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 75A, 10V
Базовый Part NumberIRF2804
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6450 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность300W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус производителяTO-262

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)