IRF1902GPBF

Name: IRF1902GPBF
Brand: Infineon Technologies

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 4A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	310 pF @ 15 V
Производитель	Infineon Technologies
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Серия	HEXFET®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA

Напряжение сток-исток	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.2A (Ta)

Рабочая температура	-55°C~150°C(TJ)