IRF1104LPBF

Infineon Technologies

IRF1104LPBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 100A TO-262

УстаревшийTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 60A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2900 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус производителяTO-262