Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | IR2011 |
|---|---|
| Channel Type | Independent |
| Driven Configuration | High-Side or Low-Side |
| Gate Type | N-Channel MOSFET |
| Тип входа | Inverting |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Obsolete |
| Rise / Fall Time (Typ) | 35ns, 20ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 1A, 1A |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 200 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.7V, 2.2V |
| Напряжение питания | 10V ~ 20V |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус производителя | 8-PDIP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
|---|