Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | IR2010 |
|---|---|
| Channel Type | Independent |
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 10ns, 15ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 3A, 3A |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 200 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
| Напряжение питания | 10V ~ 20V |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус производителя | 14-DIP |
| Рабочая температура | -40°C~150°C(TJ) |
|---|