IQE013N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

IQE013N04LM6ATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.35mOhm @ 20A, 10V
Базовый Part NumberIQE013
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3900 pF @ 20 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 51µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Ta), 205A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.5W (Ta), 107W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPG-TSON-8-4

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)