IPW60R099C7

Infineon Technologies

IPW60R099C7

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 22A TO247

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 9.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1819 pF @ 400 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияCoolMOS™ C7
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 490µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность110W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяPG-TO247

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)