IPTC019N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

IPTC019N10NM5ATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP

В производстве16-PowerSOP ModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12000 pF @ 50 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияOptiMOS™ 5
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 210µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Ta), 279A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.8W (Ta), 300W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case16-PowerSOP Module
Корпус производителяPG-HDSOP-16-2

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)