IPTC017N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

IPTC017N12NM6ATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

В производстве16-PowerSOP ModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 150A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11000 pF @ 60 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияOptiMOS™ 6
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 275µA

Электрические

Напряжение сток-исток120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Ta), 331A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.8W (Ta), 395W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case16-PowerSOP Module
Корпус производителяPG-HDSOP-16-U01

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)