IPQC60R017S7XTMA1

Infineon Technologies

IPQC60R017S7XTMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET

В производстве22-PowerBSOP ModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 29A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7370 pF @ 300 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияCoolMOS™ S7
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.89mA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность500W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case22-PowerBSOP Module
Корпус производителяPG-HDSOP-22

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)