IPP65R050CFD7AAKSA1

Infineon Technologies

IPP65R050CFD7AAKSA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 24.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4975 pF @ 400 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.24mA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность227W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяPG-TO220-3

Среда

Рабочая температура-40°C~150°C(TJ)