IPP085N06LGAKSA1

Infineon Technologies

IPP085N06LGAKSA1

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

УстаревшийTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 80A. 10V
Базовый Part NumberIPP085N
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500 pF @ 30 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 125µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяPG-TO220-3-1