IPL65R130C7AUMA1

Infineon Technologies

IPL65R130C7AUMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON

В производстве4-PowerTSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 4.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1670 pF @ 400 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияCoolMOS™ C7
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 440µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность102W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-PowerTSFN
Корпус производителяPG-VSON-4

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)