Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 5.2A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 100 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | CoolMOS™ CP |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 340µA |
| Напряжение сток-исток | 600 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 83W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Корпус производителя | PG-VSON-4-1 |
| Рабочая температура | -40°C~150°C(TJ) |
|---|