IPL60R299CPAUMA1

Infineon Technologies

IPL60R299CPAUMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON

Снят с производства4-PowerTSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs299mOhm @ 6.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 100 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
СерияCoolMOS™ CP
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 440µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.1A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность96W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-PowerTSFN
Корпус производителяPG-VSON-4

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)