Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 5.6A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020 pF @ 100 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | Устаревший |
| Серия | 448 |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
| Напряжение сток-исток | 550 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 89W (Tc) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
|---|---|
| Корпус производителя | PG-TO262-3 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|