IPG20N10S436AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S436AATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 17A, 10V
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds990pF @ 25V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 16µA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A
Power - Max43W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPG-TDSON-8-10

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101