IPG20N06S3L-35

Infineon Technologies

IPG20N06S3L-35

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

Устаревший8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 11A, 10V
Базовый Part NumberIPG20N
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1730pF @ 25V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 15µA

Электрические

Напряжение сток-исток55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A
Power - Max30W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPG-TDSON-8-4

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)