Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.4mOhm @ 17A, 10V |
|---|---|
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 789pF @ 25V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount, Wettable Flank |
| Product Status | Active |
| Серия | OptiMOS™-T2 |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 8µA |
| Напряжение сток-исток | 40V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Power - Max | 26W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Корпус производителя | PG-TDSON-8-10 |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |