IPDQ65R017CFD7XTMA1

Infineon Technologies

IPDQ65R017CFD7XTMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

HIGH POWER_NEW

В производстве22-PowerBSOP ModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 61.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12338 pF @ 400 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияCoolMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 3.08mA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C136A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность694W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case22-PowerBSOP Module
Корпус производителяPG-HDSOP-22-1

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)