IPDD60R090CFD7XTMA1

Infineon Technologies

IPDD60R090CFD7XTMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10

В производстве10-PowerSOP ModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 9.3A, 10V
Базовый Part NumberIPDD60
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1747 pF @ 400 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияCoolMOS™ CFD7
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 470µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность227W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case10-PowerSOP Module
Корпус производителяPG-HDSOP-10-1

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)