IPD90P03P404ATMA2

Infineon Technologies

IPD90P03P404ATMA2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31

В производствеTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 90A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10300 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияOptiMOS®-P2
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 253µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность137W (Tc)

Механические

Корпус производителяPG-TO252-3-11

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101