IPD85P04P407ATMA1

Infineon Technologies

IPD85P04P407ATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3

Снят с производстваTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 85A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6085 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 150µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C85A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность88W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101