IPD80P03P4L07ATMA2

Infineon Technologies

IPD80P03P4L07ATMA2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.8mOhm @ 80A, 10V
Базовый Part NumberIPD80P03
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5700 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+5V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 130µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность88W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяPG-TO252-3-11

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)