IPD60R280CFD7ATMA1

Infineon Technologies

IPD60R280CFD7ATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 3.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds807 pF @ 400 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияCoolMOS™ CFD7
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 180µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность51W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяPG-TO252-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)